| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF540ZSTRLPBF | International Rectifier | PG-TO263-3 | MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF540ZSTRRPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms 42nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF550A | Fairchild Semiconductor | TO-220AB | MOSFET 100V N-Channel A-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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IRF5800TRPBF | International Rectifier | Micro6?（TSOP-6） | MOSFET MOSFT PCh -30V -4A 85mOhm 11.4nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF5801TRPBF | International Rectifier | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 1,985 | MOSFET MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 3... | ||||||
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IRF5802TRPBF | International Rectifier | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 10,148 | MOSFET MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRF5803D2PBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 1 N-CH 112mOhm HEXFET -40V VDSS | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF5803D2TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 112mOhm 25nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF5803TRPBF | International Rectifier | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 46,274 | MOSFET MOSFT PCh -40V -3.4A 112mOhm 25nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF5804TRPBF | International Rectifier | Micro6?（TSOP-6） | MOSFET MOSFT PCh -40V -2.5A 198mOhm 5.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 40 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF5805TRPBF | International Rectifier | Micro6?（TSOP-6） | MOSFET MOSFT PCh -30V -3.8A 98mOhm 11nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF5806TRPBF | International Rectifier | Micro6?（TSOP-6） | MOSFET MOSFT PCh -20V -4A 86mOhm 8.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF5810TRPBF | International Rectifier | 6-TSOP | MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.9A | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V... | ||||||
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IRF5850TRPBF | International Rectifier | 6-TSOP | MOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.9A | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V... | ||||||
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IRF5851TRPBF | International Rectifier | 6-TSOP | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.7A Micro 6 | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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IRF5852TRPBF | International Rectifier | 6-TSOP | MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 2.7A | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF610 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF610_R4941 | Fairchild Semiconductor | MOSFET TO-220AB N-Ch Power | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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IRF610B_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-220 | MOSFET 200V Single | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸... | ||||||
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IRF610LPBF | Vishay/Siliconix | I2PAK | MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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