| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF3805SPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 30V 1 N-CH 3.3mOhm HEXFET 75A ID | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF3805STRL-7PP | International Rectifier | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB | MOSFET MOSFT 55V 240A 2.6mOhm 130nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF3805STRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：210 A，电... | ||||||
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IRF3808PBF | International Rectifier | TO-220-3 | 203 | MOSFET MOSFT 75V 140A 7mOhm 150nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF3808SPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF3808STRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：106 A，电... | ||||||
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IRF3808STRRPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 150nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRF4104GPBF | International Rectifier | TO-220-3 | MOSFET 40V HALOGEN-FREE 1 N-CH HEXFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF4104PBF | International Rectifier | TO-220-3 | 998 | MOSFET MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF4104SPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF4905 | International Rectifier | TO-220AB | MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -74A, 20 mOhm, 120 nC Qg, TO-220AB | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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IRF4905LPBF | International Rectifier | TO-262 | 12,891 | MOSFET MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF4905PBF | International Rectifier | TO-220-3 | 104,579 | MOSFET MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF4905SPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF4905STRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 44,153 | MOSFET MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，漏极连续电流：- 70 ... | ||||||
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IRF4905STRRPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 10,029 | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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IRF510 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF510_R4941 | Fairchild Semiconductor | MOSFET TO-220AB N-Ch Power | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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IRF510A | Fairchild Semiconductor | TO-220AB | MOSFET 100V .2 OHM 33W | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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IRF510A_Q | Fairchild Semiconductor | TO-220AB | MOSFET 100V .2 Ohm 33W | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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