| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRLZ44 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ44N | International Rectifier | TO-220AB | MOSFET MOSFET, 55V, 41A, 22 mOhm, 32 nC Qg, Logic Level, TO-220AB | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 16 V，漏极连续... | ||||||
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IRLZ44NLPBF | International Rectifier | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC Log Lvl | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLZ44NPBF | International Rectifier | TO-220-3 | 47,340 | MOSFET MOSFT 55V 41A 22mOhm 32nC LogLvlAB | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLZ44NSPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLZ44NSTRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 2,149 | MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC Log Lvl | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLZ44NSTRRPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLZ44PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 272 | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ44S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ44SPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ44STRL | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ44STRLPBF | Vishay/Siliconix | SMD-220 | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ44STRR | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ44STRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 50 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ44ZLPBF | International Rectifier | TO-262 | MOSFET MOSFT 55V 51A 13.5mOhm 24nC LogLvl | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLZ44ZPBF | International Rectifier | TO-220-3 | MOSFET MOSFT 55V 51A 24nC 13.5mOhm LogLvAB | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLZ44ZSPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 24nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLZ44ZSTRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 26 | MOSFET MOSFT 55V 51A 13.5mOhm 24nC LogLvl | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLZ44ZSTRRPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 24nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRF1010EPBF | International Rectifier | TO-220-3 | 3,826 | MOSFET MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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