| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRLZ14SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 3,813 | MOSFET N-Chan 60V 10 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ14STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 6,333 | MOSFET N-Chan 60V 10 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ14STRR | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ14STRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 60V 10 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ24 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 60V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ24L | Vishay/Siliconix | TO-262-3 | MOSFET N-Chan 60V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ24LPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 60V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ24NPBF | International Rectifier | TO-220-3 | 17,489 | MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC LogLvlAB | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLZ24NSPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 10nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLZ24NSTRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 15,961 | MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC Log Lvl | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLZ24PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 3,590 | MOSFET N-Chan 60V 17 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ24S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 17 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ24SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 60V 17 Amp 100mohm @ 5V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ34 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 60V 30 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ34NLPBF | International Rectifier | TO-262 | MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLZ34NPBF | International Rectifier | TO-220-3 | 48,752 | MOSFET MOSFT 55V 27A 16.7nC 35mOhm LogLvAB | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLZ34NSPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 35mOhms 16.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLZ34NSTRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 31,315 | MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLZ34PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 12,672 | MOSFET N-Chan 60V 30 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLZ34S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 60V 30 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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