| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRLR014TRLPBF | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLR014TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 2,780 | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLR024 | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLR024NPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLR024NTRLPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLR024NTRPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 73,354 | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLR024NTRRPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLR024PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 8,470 | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLR024TR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLR024TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLR024TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 9,124 | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极... | ||||||
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IRLR024ZPBF | International Rectifier | D-Pak | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 6.6nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：16 V，漏... | ||||||
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IRLR024ZTRLPBF | International Rectifier | D-Pak | MOSFET MOSFT 55V 16A 58mOhm 6.6nC Log Lvl | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：16 A，电阻... | ||||||
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IRLR024ZTRPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 6.6nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 16... | ||||||
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IRLR110 | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR110ATF | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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IRLR110ATM | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH/LL/100V/4.7A/0.4OHM@VGS=5V/Substitute of IRLR110TM | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRLR110PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 13,577 | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR110TR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRLR110TRL | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏... | ||||||
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