| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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GWM100-01X1-SMD | Ixys | ISOPLUS-DIL? | MOSFET 100 Amps 100V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.5 ... | ||||||
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GWM120-0075P3-SL | Ixys | ISOPLUS-DIL? | MOSFET 120 Amps 75V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：118 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.5 ... | ||||||
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GWM120-0075P3-SMD | Ixys | ISOPLUS-DIL? | MOSFET 120 Amps 75V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，漏极连续电流：118 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.5 ... | ||||||
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GWM160-0055X1-SL | Ixys | ISOPLUS-DIL? | MOSFET 160 Amps 55V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：150 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.3 ... | ||||||
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GWM160-0055X1-SMD | Ixys | ISOPLUS-DIL? | MOSFET 160 Amps 55V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：150 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.3 ... | ||||||
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GWM220-004P3-SL | Ixys | ISOPLUS-DIL? | MOSFET 220 Amps 40V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：190 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.6 ... | ||||||
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GWM220-004P3-SMD | Ixys | ISOPLUS-DIL? | MOSFET 220 Amps 40V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：180 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.6 ... | ||||||
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PH1225AL,115 | NXP Semiconductors | SOT-1023，4-LFPAK | MOSFET Single N-Channel 25V 100 A | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.2 mOhms，配置... | ||||||
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PH1330AL,115 | NXP Semiconductors | SOT-1023，4-LFPAK | MOSFET Single N-Channel 30V 100 A | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.8 mOhms，配置... | ||||||
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PHN203 /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHN203,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHN210 /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHN210,118 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHN210T /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHN210T,118 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
SOT428.JPG)
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PHD9NQ20T,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，漏极连续电流：8.7 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PHD82NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PHD96NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PHD97NQ03LT,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.3 mOhms，配置：... | ||||||
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PHD98N03LT,118 | NXP Semiconductors | DPAK | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.9 mOhms，配置：... | ||||||
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