| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTLJS1102PTBG | ON Semiconductor | 6-WDFN（2x2） | MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 8 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
|
|
NTLJS2103PTAG | ON Semiconductor | 6-WDFN（2x2） | MOSFET PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
NTLJS2103PTBG | ON Semiconductor | 6-WDFN（2x2） | MOSFET PFET WDFN6 12V 5.9A 0.025 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
NTLJS3113PT1G | ON Semiconductor | 6-WDFN（2x2） | 18 | MOSFET PFET 2X2 20V 9.5A 42MOHM | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
NTLJS3113PTAG | ON Semiconductor | 6-WDFN（2x2） | MOSFET PFET 20V 9.5A 42MOHM 2X2 | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
NTLJS3180PZTAG | ON Semiconductor | 6-WDFN 裸露焊盘 | MOSFET 20V UCOOL SNGL P-CH 7.7A | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
NTLJS3180PZTBG | ON Semiconductor | 6-WDFN 裸露焊盘 | MOSFET 20V UCOOL SNGL P-CH 7.7A | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
NTLJS4114NT1G | ON Semiconductor | 6-WDFN 裸露焊盘 | MOSFET NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
NTLJS4149PTAG | ON Semiconductor | 6-WDFN（2x2） | MOSFET PFET 2X2 30V 4.6A TR 60MO | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
NTLJS4149PTBG | ON Semiconductor | 6-WDFN 裸露焊盘 | MOSFET PFET 2X2 30V 4.6A 60MO | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
NTLJS4159NT1G | ON Semiconductor | 6-WDFN（2x2） | MOSFET NFET 2X2 30V 7.8A 35MOHM | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
NTLLD4901NFTWG | ON Semiconductor | 8-WDFN（3x3） | MOSFET | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：8.3 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）... | ||||||
|
NTLTD7900ZR2 | ON Semiconductor | Micro-8 | MOSFET 20V 9A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | 8-DFN（3x3），（MICRO8 LEADLESS） | MOSFET 20V 9A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
NTLTS3107PR2G | ON Semiconductor | Micro-8 | MOSFET PFET 8A PB | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压... | ||||||
|
NTLUD3191PZTAG | ON Semiconductor | 6-UDFN（1.6x1.6） | MOSFET PFET WDFN6 20V 1.7A 250mOhm | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压... | ||||||
|
|
NTLUD3191PZTBG | ON Semiconductor | 6-UDFN（1.6x1.6） | MOSFET PFET WDFN6 20V 1.7A 250mOhm | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压... | ||||||
|
NTB85N03 | ON Semiconductor | D2PAK | MOSFET 28V 85A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：28 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
NTB85N03G | ON Semiconductor | D2PAK | MOSFET 28V 85A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：28 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
|
|
NTB85N03T4 | ON Semiconductor | - | MOSFET 28V 85A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：28 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
67/1324 首页 上页 [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] 下页 尾页
