| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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NIF62514T1 | ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET 42V 6A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NIF62514T1G | ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET 42V 6A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NIF62514T3 | ON Semiconductor | SOT-223 | MOSFET 42V 6A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NIF62514T3G | ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET 42V 6A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NIF9N05CLT1 | ON Semiconductor | SOT-223（TO-261） | MOSFET 52V 2.6A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：52 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NIF9N05CLT1G | ON Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET 52V 2.6A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：52 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NIF9N05CLT3 | ON Semiconductor | SOT-223（TO-261） | MOSFET 52V 2.6A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：52 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NIF9N05CLT3G | ON Semiconductor | SOT-223（TO-261） | MOSFET 52V 2.6A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：52 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NILMS4501NR2 | ON Semiconductor | 4-PLLP（6.2x5.2） | MOSFET 24V 9.5A N-Channel | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：24 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NILMS4501NR2G | ON Semiconductor | 4-DFN | MOSFET MI 9.5A 24V CURR MIR | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：24 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NIMD6001ANR2G | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 60V 3.3A 130 MOHM DUAL | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：67 V，漏极连续电流：3.3 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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NIMD6302R2 | ON Semiconductor | SOIC-8 | MOSFET NFET S08D 30V .050R | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+... | ||||||
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NE52418 | NEC/CEL | Mini-4 | MOSFET NPN L-S Lo Noise Amp | ||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，汲极/源极击穿电压：2.5 V，漏极连续电流：3 mA，电阻汲极/源极 RDS（导通）：50 Ohms，安装风格：SMD/SMT，... | ||||||
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NE960R575 | CEL | MOSFET X KU Band MESFET | |||
| 参数：制造商：CEL，产品种类：MOSFET，RoHS：否，汲极/源极击穿电压：15 V，闸/源击穿电压：- 7 V，漏极连续电流：600 mA，包装形式：Bulk，... | ||||||
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NE76038-T1 | CEL | MOSFET DISC BY NEC 5/99 | |||
| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，... | ||||||
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NE76118-T1 | CEL | MOSFET DISC BY CEL 1/02 SOT-343 GP MESFET | |||
| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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NE677M04 | NEC/CEL | MOSFET USE 551-NE677M04-A | |||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：否，... | ||||||
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NE93339-T2 | CEL | MOSFET DISC BY CEL 7/01 GEN PURP DUAL GATE | |||
| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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NE3210S01-A | NEC/CEL | SO-1 | MOSFET Super Lo Noise HJFET | ||
| 参数：制造商：NEC，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：4 V，闸/源击穿电压：- 3 V，漏极连续电流：10 mA，安装风格：SMD/SMT，封装形式：SO-1，功... | ||||||
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NE33284A-T1 | CEL | MOSFET DISC BY CEL 01/02 84AS LO-NOISE HJ FET | |||
| 参数：制造商：CEL，RoHS：否，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，... | ||||||
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