| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PMZ350XN T/R | NXP Semiconductors | SC-101 | MOSFET TAPE7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMZ350XN,315 | NXP Semiconductors | SOT-883 | MOSFET TAPE7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMZ390UN T/R | NXP Semiconductors | SC-101 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMZ390UN,315 | NXP Semiconductors | SC-101，SOT-883 | 148,493 | MOSFET MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMZ760SN T/R | NXP Semiconductors | SC-101 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PMZ760SN,315 | NXP Semiconductors | SOT-883 | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PMZB290UNE,315 | NXP Semiconductors | DFN1006B-3 | MOSFET N-Chan 20V 1A 715mW | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：1 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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PMZB370UNE,315 | NXP Semiconductors | DFN1006B-3 | MOSFET N-Chan 30V 900mA | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：900 mA，电阻汲极... | ||||||
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PMZB670UPE,315 | NXP Semiconductors | 3-XFDFN | 3,902 | MOSFET P-Chan -20V -680mA | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：- 680 mA，... | ||||||
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PIP3101-A,127 | NXP Semiconductors | TO-220-5 成形引线 | MOSFET RAIL TOPFET2 | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，漏极连续电流：30 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.05 Ohms，配置：... | ||||||
SOT223-1.jpg)
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PIP3103-T,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET TAPE-7 TOPFET2 | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，漏极连续电流：0.7 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：200 mOhms，配置... | ||||||
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PIP3104-P,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | MOSFET RAIL TOPFET2 | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，漏极连续电流：16 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.05 Ohms，配置：... | ||||||
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PTMA210452MV1 | Infineon Technologies | MOSFET RFP-LD 8 IC | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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QS5K2TR | ROHM Semiconductor | TSMT5 | 94,687 | MOSFET N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5 | |
| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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QS5U12TR | ROHM Semiconductor | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 | 2,613 | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 | |
| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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QS5U13TR | ROHM Semiconductor | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 | 1,620 | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 | |
| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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QS5U16TR | ROHM Semiconductor | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 | MOSFET N-CH 30V 2A | ||
| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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QS5U17TR | ROHM Semiconductor | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 | 5,833 | MOSFET N-CH 30V 2A | |
| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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QS5U21TR | ROHM Semiconductor | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 | MOSFET P-CH 20V 1.5A | ||
| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿... | ||||||
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QS5U23TR | ROHM Semiconductor | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 | MOSFET P-CH 20V 1.5A | ||
| 参数：制造商：ROHM Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿... | ||||||
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