| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SOT23.jpg)
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PMV40UN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH TRENCH 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMV45EN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH TRENCH 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PMV48XP,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 5,273 | MOSFET P-CH -20 V -3.5 A | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 3.5 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：5... | ||||||
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PMV56XN T/R | NXP Semiconductors | SOT-23 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMV56XN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET LOW LEVEL FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMV60EN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH TRENCH 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PMV65XP,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 136,815 | MOSFET P-CH TRENCH 20V | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMWD15UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP | MOSFET PMWD15UN/TSSOP8/REEL13DP// | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：11.6 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PMWD16UN /T3 | NXP Semiconductors | TSSOP-8 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电... | ||||||
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PMWD16UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲极/源极 RDS（导... | ||||||
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PMWD19UN /T3 | NXP Semiconductors | TSSOP-8 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电... | ||||||
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PMWD19UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP | MOSFET PMWD19UN/TSSOP8/REEL13DP// | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电流：5.6 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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PMWD20XN,118 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：10.4 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PMWD26UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电流：7.8 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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PMWD30UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 10 V，漏极连续电流：5 A，电阻汲极/源极 RDS（导... | ||||||
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PMZ1000UN,315 | NXP Semiconductors | SC-101，SOT-883 | 42,414 | MOSFET MOSFET N-CH | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：10000，... | ||||||
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PMZ250UN T/R | NXP Semiconductors | SC-101 | MOSFET TAPE7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMZ250UN,315 | NXP Semiconductors | SOT-883 | MOSFET TAPE7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMZ270XN T/R | NXP Semiconductors | SC-101 | MOSFET TAPE7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMZ270XN,315 | NXP Semiconductors | SOT-883 | MOSFET TAPE7 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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