| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PMFPB6545UP,115 | NXP Semiconductors | 6-HUSON（2x2） | MOSFET FET-KY P-Channel 20V | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：- 3.5 A，电... | ||||||
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PMG370XN T/R | NXP Semiconductors | SOT-363 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMG370XN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMG85XP,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET P-CH -20 V -2 A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 2 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：115... | ||||||
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PMGD280UN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP | 134,541 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMGD290XN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP | 116,335 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMGD370XN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMGD400UN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMGD780SN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP | 7,705 | MOSFET N-CH TRENCH DL 60V | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PMGD8000LN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PMK30EP,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET MOSFET P-CH FET 30V 14.9A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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PMK35EP,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET MOSFET P-CH FET 30V 14.9A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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PMK50XP,518 | NXP Semiconductors | 8-SO | MOSFET MOSFET P-CH FET 20V 7.9A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电流：- 7.9 A，... | ||||||
SOT23.jpg)
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PMBF170,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 303,692 | MOSFET TAPE7 MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PMBF170,235 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 36,726 | MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：10000，... | ||||||
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PML260SN,118 | NXP Semiconductors | DFN3333-8 | MOSFET TAPE13 TRENCH 30V G3 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PML340SN /T3 | NXP Semiconductors | HVSON-8 | MOSFET TAPE13 TRENCH 30V G3 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：220 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PML340SN,118 | NXP Semiconductors | DFN3333-8 | MOSFET TAPE13 TRENCH 30V G3 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：220 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PMF280UN T/R | NXP Semiconductors | SOT-323 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
SOT323.jpg)
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PMF280UN,115 | NXP Semiconductors | SC-70 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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