| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
|---|
|
IRFZ34N |
International Rectifier
|
TO-220AB |
|
MOSFET MOSFET, 55V, 26A, 40 mOhm, 22.7 nC Qg, TO-220AB |
|
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... |
|
IRFZ34NLPBF |
International Rectifier
|
TO-262 |
|
MOSFET MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC |
|
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
|
IRFZ34NPBF |
International Rectifier
|
TO-220-3 |
10,241 |
MOSFET MOSFT 55V 26A 40mOhm 22.7nC |
|
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
|
IRFZ34NSPBF |
International Rectifier
|
D2PAK |
|
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC |
|
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
|
IRFZ34NSTRLPBF |
International Rectifier
|
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
521 |
MOSFET MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC |
|
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
|
|
IRFZ34NSTRRPBF |
International Rectifier
|
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
|
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 22.7nC |
|
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
|
IRFZ34PBF |
Vishay/Siliconix
|
TO-220-3 |
12,363 |
MOSFET N-Chan 60V 30 Amp |
|
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
|
IRFZ34S |
Vishay/Siliconix
|
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
|
MOSFET N-Chan 60V 30 Amp |
|
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
|
IRFZ34STRR |
Vishay/Siliconix
|
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
|
MOSFET N-Chan 60V 30 Amp |
|
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
|
IRFZ40 |
Vishay/Siliconix
|
TO-220-3 |
|
MOSFET N-Chan 50V 50 Amp |
|
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
|
|
IRFZ40PBF |
Vishay/Siliconix
|
TO-220-3 |
3,293 |
MOSFET N-Chan 50V 50 Amp |
|
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
|
|
IRFZ44 |
Vishay/Siliconix
|
TO-220AB |
|
MOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
|
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
|
|
IRFZ44EPBF |
International Rectifier
|
TO-220-3 |
4,712 |
MOSFET MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC |
|
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
|
|
IRFZ44ESPBF |
International Rectifier
|
D2PAK |
|
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 40nC |
|
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
|
|
IRFZ44ESTRLPBF |
International Rectifier
|
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
4,011 |
MOSFET MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC |
|
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
|
|
IRFZ44ESTRRPBF |
International Rectifier
|
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
|
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 40nC |
|
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
|
IRFZ44N\45B |
Vishay Semiconductors
|
TO-220AB |
|
MOSFET TO-220 N-CH 55V 49A |
|
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：41 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0... |
|
|
IRFZ44NLPBF |
International Rectifier
|
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA |
8,602 |
MOSFET MOSFT 55V 49A 17.5mOhm 42nC |
|
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
|
|
IRFZ44NPBF |
International Rectifier
|
TO-220-3 |
41,133 |
MOSFET MOSFT 55V 41A 17.5mOhm 42nC |
|
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
|
|
IRFZ44NS\31B |
Vishay Semiconductors
|
TO-263 |
|
MOSFET USE 781-SUB40N06-25L |
|
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，安装风格：SMD/SMT，封装形式：TO-263，工厂包装数量：800，... |
