| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PMN25EN,115 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET 30 V, 6.2 A N-CH TRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：6.2 A，电阻汲极... | ||||||
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PMN25UN,115 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET 20V 6 A N-CH TRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流：6 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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PMN27UN /T3 | NXP Semiconductors | SOT-457 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN27UN,135 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN27UP,115 | NXP Semiconductors | 6-TSOP | MOSFET P-CH -20 V -5.7 A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 5.7 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：3... | ||||||
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PMN28UN /T2 | NXP Semiconductors | SOT-457 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN28UN /T3 | NXP Semiconductors | SOT-457 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN28UN,135 | NXP Semiconductors | 6-TSOP | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN28UN,165 | NXP Semiconductors | SC-74，SOT-457 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN34LN /T3 | NXP Semiconductors | SOT-457 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PMN34LN,135 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PMN34UN /T3 | NXP Semiconductors | SOT-457 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN34UN,135 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMN34UP,115 | NXP Semiconductors | 6-TSOP | MOSFET 20V 5 A P-CH TRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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PMN35EN,115 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET 30 V, 5.1 A N-CH TRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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PMN35EN,125 | NXP Semiconductors | 6-TSOP | MOSFET N-Chan 30V 5.1A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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PMN38EN,135 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 5.4A 6-Pin | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：27 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：3.4 A，电阻汲极... | ||||||
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PMN38EN,165 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET MOSFET N-CH FET 30V 5.4A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：10000，... | ||||||
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PMN40LN /T3 | NXP Semiconductors | SOT-457 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PMN40LN,135 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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