| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN7R0-100BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 3,200 | MOSFET N-CH 100V 6.8 MOHM MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：90 V，闸/源击穿电压：4.3 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极... | ||||||
_SOT226-20Pkg.jpg)
|
PSMN7R0-100ES,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET Single NChannel 100V 475A 269W 12mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：90 V，漏极连续电流：85 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：12 mOh... | ||||||
|
PSMN7R0-100PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲... | ||||||
|
PSMN7R0-100XS,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | MOSFET N-CH 100V 6.8 MOHMS STD LVL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：38.9 A，电阻... | ||||||
|
PSMN7R0-30MLC,115 | NXP Semiconductors | SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线） | 2,435 | MOSFET N-channel MOSFET logic level LFPAK33 | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：2.15 V，漏极连续电流：67 A，电阻汲极/源极... | ||||||
|
PSMN7R0-30YL,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET <=30V N CH TRENCHFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
|
PSMN7R0-30YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-chnl30V7.1m logic lvl MOSFET in LFPAK | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：61 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
|
PSMN7R0-40LS,115 | NXP Semiconductors | 8-DFN3333（3.3x3.3） | MOSFET N-CHAN 40V 40A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲极/... | ||||||
|
|
PSMN7R0-60YS,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET Single N-Channel 60V 356A 117W 9.3mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：54 V，漏极连续电流：63 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：9.3 mO... | ||||||
|
PSMN7R5-25YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-chnl25V7.4m logic lvl MOSFET in LFPAK | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：56 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
|
|
PSMN7R6-60BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 60 V 7.8 MOHM MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：54 V，闸/源击穿电压：5.6 V，漏极连续电流：92 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
|
|
PSMN7R6-60PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 4,055 | MOSFET N-CH 60V STD LEVEL MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：92 A，电阻汲极/... | ||||||
|
|
PSMN8R0-30YL,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：62 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.3 mO... | ||||||
|
|
PSMN8R0-30YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-chnl30V7.9m logic lvl MOSFET in LFPAK | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：54 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
|
|
PSMN8R0-40BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 40 V 7.6 MOHM MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：36 V，闸/源击穿电压：4.8 V，漏极连续电流：77 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
|
PSMN8R0-40PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 113 | MOSFET N-CH 40V 7.6 mOhm Standard MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：77 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
|
PSMN8R2-80YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 80V 8.5 mOhm Standard MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，漏极连续电流：82 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
|
|
PSMN8R3-40YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | 827 | MOSFET N-CH 40V 8.6 mOhm Standard MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
|
|
PSMN8R5-100ESQ | NXP Semiconductors | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：22.6... | ||||||
|
|
PSMN8R5-100PSQ | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 4,984 | MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：22.6... | ||||||
36/1324 首页 上页 [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] 下页 尾页
