| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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_SOT226-20Pkg.jpg)
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PSMN5R0-100ES,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET N-Ch 100V 5 mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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PSMN5R0-100PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 100V 5 mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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PSMN5R0-100XS,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | MOSFET N-ch 100V MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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PSMN5R0-30YL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET <=30V N CH TRENCHFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN5R0-80BS,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET Std N-chanMOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN5R0-80PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 96 | MOSFET N-CH 80V 4.7 mOhm Standard MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PSMN5R5-60YS,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CHANNEL 60V STD LEVEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN5R6-100BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET Std N-chanMOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲... | ||||||
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PSMN5R6-100PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | MOSFET MOSFET N-CH 100V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲... | ||||||
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PSMN5R6-100XS,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | MOSFET N-CH 100V 5.6 MOHMS STD LVL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：43.7 A，电阻... | ||||||
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PSMN5R8-30LL,115 | NXP Semiconductors | 8-DFN3333（3.3x3.3） | MOSFET N-CHAN 30V 40A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN5R8-40YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CHAN 40V 64A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：90 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN5R9-30YL,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：78 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.1 mO... | ||||||
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PSMN6R0-25YLB,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CH 25 V 6.1 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：73 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN6R0-30YL,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | 780 | MOSFET <=30V N CH TRENCHFET | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN6R0-30YLB,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CH 30 V 6.5 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1500，... | ||||||
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PSMN6R3-120PS | NXP Semiconductors | TO-220AB | 137 | MOSFET N-Channel MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：120 V，漏极连续电流：70 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：19.4 ... | ||||||
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PSMN6R5-25YLC,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-chnl25V6.5m logic lvl MOSFET in LFPAK | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：64 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PSMN6R5-80BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 2,962 | MOSFET N-CH 80 V 46 MOHM MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：73 V，闸/源击穿电压：4.3 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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PSMN6R5-80PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHAN 80V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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