| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PSMN3R0-60BS,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET Std N-chanMOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN3R0-60ES,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET N-Ch 60V 3 Standard level MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：83.4 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 mO... | ||||||
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PSMN3R0-60PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | MOSFET N-ch 60V 3.0 mOhm MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：54 V, 60 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲... | ||||||
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PSMN3R2-25YLC,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-Ch 25V 3.4 mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PSMN3R2-30YLC,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-Ch 30V 3.5mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PSMN3R3-40YS,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-CHAN 40V 97A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN3R3-60PLQ | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 49 | MOSFET N-Channel MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：130 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.5 m... | ||||||
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PSMN3R3-80BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 2,962 | MOSFET Std N-chanMOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN3R3-80ES,127 | NXP Semiconductors | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Ch 80V 3.3 m std level MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PSMN3R3-80PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 2,039 | MOSFET N-Ch 80V 3.3 m std level MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PSMN3R4-30BL,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 87 | MOSFET Std N-chanMOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN3R4-30PL,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET N-CHAN 30V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN3R5-30LL,115 | NXP Semiconductors | 8-DFN3333（3.3x3.3） | MOSFET N-CHAN 30V 40A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN3R5-30YL,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | 1,488 | MOSFET <=30V N CH TRENCHFET | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN3R5-80ES,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET N-Ch 80V 3.5 mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PSMN3R5-80PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 4,723 | MOSFET N-Ch 80V 3.5 mOhms | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PSMN3R7-25YLC,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-Ch 25V 3.9 mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：97 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PSMN3R7-30YLC,115 | NXP Semiconductors | LFPAK56，Power-SO8 | MOSFET N-Ch 30V 3.95mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PSMN3R8-100BS,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET Std N-chanMOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：120 A，电阻汲... | ||||||
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PSMN3R8-30LL,115 | NXP Semiconductors | 8-DFN3333（3.3x3.3） | MOSFET N-CHAN 30V 40A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：40 A，电阻汲极/... | ||||||
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