| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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IRFZ14 |
Vishay/Siliconix
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TO-220-3 |
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MOSFET N-Chan 60V 10 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ14PBF |
Vishay/Siliconix
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TO-220-3 |
64,750 |
MOSFET N-Chan 60V 10 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ14S |
Vishay/Siliconix
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TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
|
MOSFET N-Chan 60V 10 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ14SPBF |
Vishay/Siliconix
|
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
675 |
MOSFET N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ14STRL |
Vishay/Siliconix
|
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
|
MOSFET N-Chan 60V 10 Amp |
|
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ20 |
Vishay/Siliconix
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TO-220-3 |
|
MOSFET N-Chan 50V 17 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ20PBF |
Vishay/Siliconix
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TO-220-3 |
2,482 |
MOSFET N-Chan 50V 17 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ24 |
Vishay
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TO-220-3 |
|
MOSFET N-Chan 60V 17 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ24NLPBF |
International Rectifier
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TO-262 |
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MOSFET MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC |
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| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
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IRFZ24NPBF |
International Rectifier
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TO-220-3 |
15,050 |
MOSFET MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC |
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| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
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IRFZ24NSPBF |
International Rectifier
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D2PAK |
|
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 70mOhms 13.3nC |
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| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
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IRFZ24NSTRLPBF |
International Rectifier
|
D2PAK |
|
MOSFET MOSFT 55V 17A 70mOhm 13.3nC |
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| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
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IRFZ24NSTRRPBF |
International Rectifier
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TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
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MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 70mOhms 13.3nC |
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| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
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IRFZ24PBF |
Vishay/Siliconix
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TO-220-3 |
792 |
MOSFET N-Chan 60V 17 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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|
IRFZ24S |
Vishay/Siliconix
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TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
|
MOSFET N-Chan 60V 17 Amp |
|
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ24STRL |
Vishay/Siliconix
|
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
|
MOSFET N-Chan 60V 17 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ30 |
Vishay/Siliconix
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TO-220-3 |
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MOSFET N-Chan 50V 30 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ30PBF |
Vishay Semiconductors
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TO-220-3 |
|
MOSFET N-Chan 50V 30 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... |
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IRFZ34 |
Vishay/Siliconix
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TO-220-3 |
|
MOSFET N-Chan 60V 30 Amp |
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| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... |
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IRFZ34EPBF |
International Rectifier
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TO-220AB |
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MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 30nC |
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| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... |
