| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PSMN014-40YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CHAN 40V 32A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN014-60LS,115 | NXP Semiconductors | 8-DFN3333（3.3x3.3） | MOSFET N-CHAN 40V 46A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：46 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN015-100B /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN015-100B,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 2,982 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN015-100P | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN015-100P,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | 4,830 | MOSFET RAIL PWR-MOS | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN015-110P | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：110 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN015-110P,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：110 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PSMN015-60BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 2,235 | MOSFET N-CH 60 V 14.8 MOHM MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：4 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PSMN015-60PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 4,909 | MOSFET Single N-Channel 60V 201A 86W 34mOhms | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN016-100BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 16 MOHM MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：4.5 V，漏极连续电流：57 A，电阻汲极/源极... | ||||||
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PSMN016-100PS,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 1,603 | MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：96 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN016-100XS,127 | NXP Semiconductors | TO-220F | MOSFET N-CH 100V 16 MOHMS STD LVL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：22.7 A，电阻... | ||||||
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PSMN016-100YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET Single NChannel 100V 204A 117W 29.3mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：51 A，电阻汲极... | ||||||
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PSMN017-30BL,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 4,015 | MOSFET N-chan 30 V 17 mohm MOSFET in D2PAK | |
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：17 mOhms，安装风格... | ||||||
_SOT226-20Pkg.jpg)
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PSMN017-30EL,127 | NXP Semiconductors | I2PAK | MOSFET N-chan 30 V 17 mohm MOSFET in I2PAK | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：17 mOhms，安装风格... | ||||||
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PSMN017-30LL,115 | NXP Semiconductors | 8-DFN3333（3.3x3.3） | MOSFET N-CHAN 30V 15A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：15 A，电阻汲极/... | ||||||
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PSMN017-30PL,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | 1,889 | MOSFET N-chan 30 V 17 mohm MOSFET in TO-220 | |
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：32 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：17 mOhms，安装风格... | ||||||
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PSMN017-60YS,115 | NXP Semiconductors | SC-100，SOT-669 | MOSFET Single N-Channel 60V 174A 74W 24.7mOhms | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：54 V，漏极连续电流：31 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：24.7 m... | ||||||
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PSMN017-80BS,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 2,856 | MOSFET N-CH 80 V 17 MOHM MOSFET | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，闸/源击穿电压：4.7 V，漏极连续电流：50 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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