| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PHB160NQ08T /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TRENCH-75 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHB160NQ08T,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TRENCH-75 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHB174NQ04LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET N-CH TRENCH 40V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PHB174NQ04LT,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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PHB176NQ04T,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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PHB18NQ10T /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TRENCH-100 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHB18NQ10T,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TRENCH-100 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHB191NQ06LT,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH TRENCH 55V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：75... | ||||||
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PHB193NQ06T,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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PHB20N06T /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET RAIL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHB20N06T,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET RAIL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHB20NQ20T /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHB20NQ20T,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHB21N06LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PHB21N06LT,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PHB222NQ04LT,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，闸/源击穿电压：+/- 13 V，漏极连续电流：49 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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PHB225NQ04T,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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PHB23NQ10LT,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：23 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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PHB27NQ10T /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHB27NQ10T,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 7,896 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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