| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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CTLDM304P-M832DS TR | Central Semiconductor | TLM832DS | 2,961 | MOSFET SMD Sm Signal Mosfet Dual P-Ch Enhanced | |
| 参数：制造商：Central Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连... | ||||||
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CTLDM3590 TR | Central Semiconductor | 3-XFDFN | 9,487 | MOSFET SMD Sm Signal Mosfet N-Channel Enh Mode | |
| 参数：制造商：Central Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续... | ||||||
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CTLDM7002A-M621 | Central Semiconductor | TLM621 | 2000 | MOSFET N-Channel Small Signal Mosfet | |
| 参数：制造商：Central Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：40 V，漏极连... | ||||||
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CTLDM7590 TR | Central Semiconductor | 3-XFDFN | 8,989 | MOSFET SMD Sm Signal Mosfet P-Channel Enh Mode | |
| 参数：制造商：Central Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续... | ||||||
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CSD25201W15 | Texas Instruments | 9-DSBGA | MOSFET P-Channel NexFET Pwr MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电... | ||||||
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CSD25211W1015 | Texas Instruments | 6-DSBGA（1x1.5） | 393 | MOSFET PCh NexFET Power MOSFET | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电... | ||||||
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CSD25301W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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CSD25302Q2 | Texas Instruments | 6-SON | MOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电... | ||||||
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CSD25303W1015 | Texas Instruments | 6-UFBGA，DSBGA | MOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电... | ||||||
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CSD25401Q3 | Texas Instruments | 8-PowerTDFN | MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFETs | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电... | ||||||
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CSD75204W15 | Texas Instruments | 9-DSBGA | MOSFET Dual PCh NexFET Pwr MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电... | ||||||
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CSD75205W1015 | Texas Instruments | 6-DSBGA（1x1.5） | MOSFET Dual PCh NexFET Pwr MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电... | ||||||
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CSD75211W1723 | Texas Instruments | 12-DSBGA | MOSFET Dual N-Channel Nex FET Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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CSD75301W1015 | Texas Instruments | 6-DSBGA（1x1.5） | MOSFET P-Ch-Dual Common Source Pwr MOSFETs | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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CSD86311W1723 | Texas Instruments | 12-DSBGA | MOSFET Dual P-Channel Nex FET Pwr MOSFET | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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CSD86330Q3D | Texas Instruments | 8-LSON（3.3x3.3） | 1,242 | MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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CSD86350Q5D | Texas Instruments | 8-LSON（5x6） | 2,905 | MOSFET Synch Buck NexFET Pwr Block MOSFET | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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CSD87312Q3E | Texas Instruments | 8-VSON（3.3x3.3） | 2,933 | MOSFET Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：27 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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CSD87330Q3D | Texas Instruments | 8-LSON（3.3x3.3） | 35,206 | MOSFET 30V Sync Buck NexFET Power Block | |
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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CSD87331Q3D | Texas Instruments | 8-LSON（5x6） | MOSFET 30V Sync Buck NexFET Power Block | ||
| 参数：制造商：Texas Instruments，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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