| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQJA36EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8 | ||
| 参数：Vishay Siliconix|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带|Automotive, AEC-Q101, TrenchFE... | ||||||
|
IPA65R600E6XKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO220-FP | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP | ||
| 参数：Infineon Technologies|管件|CoolMOS?|不适用于新设计|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|650 V|7.3A（Tc）|10V|... | ||||||
|
PSMN1R6-25YLEX | Nexperia USA Inc. | LFPAK56，Power-SO8 | PSMN1R6-25YLE/SOT669/LFPAK | ||
| 参数：Nexperia USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带|-|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|25 V|... | ||||||
|
|
PSMN2R1-30YLEX | Nexperia USA Inc. | LFPAK56，Power-SO8 | PSMN2R1-30YLE/SOT669/LFPAK | ||
| 参数：Nexperia USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带|-|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|30 V|... | ||||||
|
TK3R2A08QM,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | TO-220SIS | 2 | UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM | |
| 参数：Toshiba Semiconductor and Storage|管件|U-MOSX-H|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|80 V|92A（Tc）... | ||||||
|
SIHP22N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB | ||
| 参数：Vishay Siliconix|管件|E|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|600 V|20A（Tc）|10V|180 毫欧 @ 11A，10V|4... | ||||||
|
IPL65R210CFDAUMA2 | Infineon Technologies | PG-VSON-4 | MOSFET N-CH 650V 16.6A 4VSON | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）|CoolMOS? CFD2|不适用于新设计|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|650 V|16.6... | ||||||
|
FCPF400N80ZL1-F154 | onsemi | TO-220F-3 | MOSFET N-CH 800V 11A TO220F-3 | ||
| 参数：onsemi|管件|SuperFET? II|不适用于新设计|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|800 V|11A（Tj）|-|400 毫欧 @ 5.5A，... | ||||||
|
IPA65R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO220-3-111 | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 | ||
| 参数：Infineon Technologies|管件|CoolMOS?|不适用于新设计|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|650 V|13.8A（Tc）|10V... | ||||||
|
PSMN2R0-30YLE,115 | Nexperia USA Inc. | SC-100，SOT-669 | 1,725 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 | |
| 参数：Nexperia USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带|-|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|30 V|... | ||||||
|
IRF640PBF-BE3 | Vishay Siliconix | TO-220-3 | 1,423 | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB | |
| 参数：Vishay Siliconix|管件|-|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|200 V|18A（Tc）|10V|180 毫欧 @ 11A，10V|4... | ||||||
|
RSS070N05HZGTB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2,370 | AUTOMOTIVE NCH 45V 7A POWER MOSF | |
| 参数：Rohm Semiconductor|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带|-|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|45 V... | ||||||
|
RS1G260MNTB | Rohm Semiconductor | 8-PowerTDFN | 2,349 | MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP | |
| 参数：Rohm Semiconductor|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带|-|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|40 V... | ||||||
|
NTTFS2D1N04HLTWG | onsemi | 8-PowerWDFN | 1,805 | MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN | |
| 参数：onsemi|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带|-|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|40 V|24A（Ta），150... | ||||||
|
IPP80R750P7XKSA1 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 583 | MOSFET N-CH 800V 7A TO220-3 | |
| 参数：Infineon Technologies|管件|CoolMOS? P7|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|800 V|7A（Tc）|10V|750 ... | ||||||
|
|
PSMN013-100YSEX | Nexperia USA Inc. | SC-100，SOT-669 | MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56 | ||
| 参数：Nexperia USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带|-|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|100 V... | ||||||
|
IPD60R380P6ATMA1 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3 | ||
| 参数：Infineon Technologies|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带|CoolMOS? P6|在售|N 通道|MOSFE... | ||||||
|
STP45N10F7 | STMicroelectronics | TO-220 | MOSFET N-CH 100V 45A TO220 | ||
| 参数：STMicroelectronics|管件|DeepGATE?, STripFET? VII|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|100 V|45A（T... | ||||||
|
IPD052N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | MOSFET | ||
| 参数：Infineon Technologies|管件|StrongIRFET? 2|在售|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|100 V|17A（Ta），118A... | ||||||
|
NVMFS5C612NLWFAFT3G | onsemi | 8-PowerTDFN，5 引线 | MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN | ||
| 参数：onsemi|卷带（TR）|Automotive, AEC-Q101|不适用于新设计|N 通道|MOSFET（金属氧化物）|60 V|38A（Ta），250A（... | ||||||
1320/1324 首页 上页 [1315] [1316] [1317] [1318] [1319] [1320] [1321] [1322] [1323] [1324] 下页 尾页
