| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTA170N075T2 | Ixys | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | MOSFET 170 Amps 75V | ||
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:75 V,闸/源击穿电压:+/- 20 V,漏极连续电流:170 A,电阻汲... | ||||||
|
|
IXTA180N055T | Ixys | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds | ||
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,工厂包装数量:50,... | ||||||
|
|
IXTA180N085T | Ixys | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds | ||
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:85 V,漏极连续电流:180 A,电阻汲极/源极 RDS(导通):0.00... | ||||||
|
IXTA180N085T7 | Ixys | TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片) | MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds | ||
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:85 V,漏极连续电流:180 A,电阻汲极/源极 RDS(导通):0.00... | ||||||
|
|
IXTA180N10T | Ixys | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | 237 | MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds | |
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:100 V,漏极连续电流:180 A,电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0... | ||||||
|
IXTA180N10T7 | Ixys | TO-263-7(IXTA) | MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds | ||
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:100 V,漏极连续电流:180 A,电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0... | ||||||
|
|
IXTA182N055T | Ixys | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds | ||
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:55 V,漏极连续电流:182 A,电阻汲极/源极 RDS(导通):0.00... | ||||||
|
IXTA182N055T7 | Ixys | TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片) | MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds | ||
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:55 V,漏极连续电流:182 A,电阻汲极/源极 RDS(导通):0.00... | ||||||
|
|
IXTA18P10T | Ixys | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds | ||
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,工厂包装数量:50,... | ||||||
|
|
IXTA1N100 | Ixys | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | 553 | MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds | |
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:1000 V,闸/源击穿电压:+/- 30 V,漏极连续电流:1.5 A,电... | ||||||
|
|
IXTA1N100P | Ixys | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | 52 | MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds | |
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:1000 V,闸/源击穿电压:+/- 20 V,漏极连续电流:1.2 A,电... | ||||||
|
|
IXTA1N120P | Ixys | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds | ||
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:1200 V,闸/源击穿电压:+/- 20 V,漏极连续电流:1 A,电阻汲... | ||||||
|
|
IXTA1N80 | Ixys | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | MOSFET 1 Amps 800V 11 Rds | ||
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:800 V,闸/源击穿电压:+/- 20 V,漏极连续电流:1 A,电阻汲极... | ||||||
|
|
IXTA1R4N100P | Ixys | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | 410 | MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds | |
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:1000 V,闸/源击穿电压:+/- 20 V,漏极连续电流:1.4 A,电... | ||||||
|
|
IXTA1R4N120P | Ixys | TO-263AA | 100 | MOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds | |
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:1200 V,闸/源击穿电压:+/- 20 V,漏极连续电流:1.4 A,电... | ||||||
|
|
IXTA1R6N100D2 | Ixys | TO-263AA | 1 | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA | |
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,... | ||||||
|
|
IXTA1R6N50D2 | Ixys | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A | ||
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,... | ||||||
|
|
IXTA200N055T2 | Ixys | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds | ||
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:55 V,闸/源击穿电压:+/- 20 V,漏极连续电流:200 A,电阻汲... | ||||||
|
|
IXTA200N075T | Ixys | TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds | ||
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:75 V,漏极连续电流:200 A,电阻汲极/源极 RDS(导通):0.00... | ||||||
|
IXTA200N075T7 | Ixys | TO-263-7,D2Pak(6 引线 + 接片) | MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds | ||
| 参数:制造商:IXYS,RoHS:是,晶体管极性:N-Channel,汲极/源极击穿电压:75 V,漏极连续电流:200 A,电阻汲极/源极 RDS(导通):0.00... | ||||||
1169/1326 首页 上页 [1164] [1165] [1166] [1167] [1168] [1169] [1170] [1171] [1172] [1173] [1174] 下页 尾页