| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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ISL9N322AD3ST | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | MOSFET 30V 20a 0.022 Ohm Logic Level N-Ch | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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ISL9N322AP3 | Fairchild Semiconductor | TO-220AB | MOSFET N-Ch PWM Optimized Logic Level | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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ISL9N322AS3ST | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | MOSFET N-Ch MOSFET Logic Level | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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ISL9N327AD3ST | Fairchild Semiconductor | TO-252 | MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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ISL9N7030BLP3 | Fairchild Semiconductor | TO-220AB | MOSFET 30V 0.009 Ohm N-Ch Logic Level 74a | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/... | ||||||
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ISL9N7030BLS3ST | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRG7SC12FPBF | International Rectifier | D2PAK | 250 | MOSFET 330V 8A D2PAK | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，配置：Single，最大工作温度：+ 150 C，安装风格... | ||||||
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IRG7S313UTRLPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 330V 40A D2PAK | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，配置：Single，最大工作温度：+ 150 C，安装风格... | ||||||
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IXT-1-1N100S1 | Ixys | - | MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：94，... | ||||||
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IXTA05N100 | Ixys | TO-263AA | MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：0.75 A，... | ||||||
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IXTA08N100D2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTA08N100P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.8 A，电... | ||||||
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IXTA08N120P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 93 | MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：0.8 A，电... | ||||||
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IXTA08N50D2 | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IXTA100N04T2 | Ixys | TO-263AA | MOSFET 100 Amps 40V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA102N15T | Ixys | TO-263AA | MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：102 A，电阻... | ||||||
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IXTA10N60P | Ixys | TO-263AA | MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续电流：10 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA10P50P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：10 A，电... | ||||||
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IXTA110N055P | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 110 Amps 55V 0.0135 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲... | ||||||
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IXTA110N055T | Ixys | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：110 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00... | ||||||
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