| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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LND150N3-P014 | Supertex | TO-92 | MOSFET 500V 1KOhm | ||
| 参数：制造商：Supertex，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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LND150N3-P014-G | Supertex | TO-92 | MOSFET 500V 1KOhm | ||
| 参数：制造商：Supertex，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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LND150N8 | Supertex | SOT-89 | MOSFET 500V 1KOhm | ||
| 参数：制造商：Supertex，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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LND150N8-G | Supertex | SOT-89-3 | 1500 | MOSFET 500V 1KOhm | |
| 参数：制造商：Supertex，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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LND250K1 | Supertex | SOT-23 | MOSFET MOSFET, DEPLETION-MODE, 500V, 1K Ohms | ||
| 参数：制造商：Supertex，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13 m... | ||||||
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LND250K1-G | Supertex | SOT-23-3 | 1500 | MOSFET 500V 1KOhm | |
| 参数：制造商：Supertex，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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FMP36-015P | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD H-BRIDGE -150V -22A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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FMP76-010T | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD H-BRIDGE -100V -54A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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FMP26-02P | Ixys | ISOPLUS i4-PAC? | MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD H-BRIDGE -200V -17A | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+/- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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FPP06R001 | Fairchild Semiconductor | EPM15 | MOSFET HV Integrated Driver | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：19，... | ||||||
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FQA10N60C | Fairchild Semiconductor | TO-3P | MOSFET N-CH/600V/10A/QFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸... | ||||||
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FQA10N80 | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET 800V N-Channel QFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸... | ||||||
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FQA10N80_F109 | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET 800V N-Channel QFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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FQA10N80C | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET 800V N-Ch advance QFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸... | ||||||
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FQA10N80C_F109 | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | 427 | MOSFET 800V N-Ch QFET Advance | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸... | ||||||
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FQA11N40 | Fairchild Semiconductor | TO-3P | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 3... | ||||||
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FQA11N90 | Fairchild Semiconductor | TO-3P-3，SC-65-3 | MOSFET 900V N-Channel QFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸... | ||||||
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FQA11N90_F109 | Fairchild Semiconductor | TO-3P | MOSFET 900V N-Channel QFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸... | ||||||
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FQA11N90C | Fairchild Semiconductor | TO-3P | MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸... | ||||||
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FQA11N90C_F109 | Fairchild Semiconductor | TO-3PN | 373 | MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸... | ||||||
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