| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFU014 | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFU014PBF | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFU020 | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET N-Chan 50V 15 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFU020PBF | Vishay/Siliconix | TO-251AA | MOSFET N-Chan 50V 15 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFU024 | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFU024NPBF | International Rectifier | IPAK（TO-251AA） | MOSFET MOSFT 55V 16A 75mOhm 13.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFU024PBF | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 1,550 | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFU1010ZPBF | International Rectifier | IPAK（TO-251AA） | MOSFET MOSFT 55V 91A 7.5mOhm 63nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFU1018EPBF | International Rectifier | IPAK（TO-251AA） | MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFU110 | Vishay/Siliconix | TO-251AA | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU110_R4941 | Fairchild Semiconductor | MOSFET TO-251AA | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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IRFU110ATU | Fairchild Semiconductor | IPAK | MOSFET 100V Single | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏... | ||||||
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IRFU110PBF | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 2,970 | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU120 | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU120_R4941 | Fairchild Semiconductor | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET TO-251AA N-Ch Power | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRFU1205PBF | International Rectifier | IPAK（TO-251AA） | MOSFET MOSFT 55V 37A 27mOhm 43.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFU120ATU | Fairchild Semiconductor | I-PAK | MOSFET 100V Single | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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IRFU120NPBF | International Rectifier | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 7,336 | MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFU120PBF | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 1,750 | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFU120ZPBF | International Rectifier | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET MOSFT 100V 8.7A 190mOhm 6.9nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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