| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFR9024NCPBF | International Rectifier | DPAK | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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IRFR9024NCTRPBF | International Rectifier | MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, 11A, 175 mOhm, 12.7 nC Qg, D-Pak | |||
| 参数：制造商：International Rectifier，... | ||||||
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IRFR9024NPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRFR9024NTR | International Rectifier | DPAK | MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, 11A, 175 mOhm, 12.7 nC Qg, D-Pak | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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IRFR9024NTRLPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET MOSFT PCh -55V 11A 175mOhm 12.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRFR9024NTRPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 29,088 | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRFR9024NTRRPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRFR9024PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 959 | MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFR9024TR | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFR9024TRL | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFR9024TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 3,000 | MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFR9024TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 7,953 | MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFR9024TRRPBF | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFR9110 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFR9110PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 9,926 | MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFR9110TR | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFR9110TRL | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFR9110TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFR9110TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 12,674 | MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFR9110TRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 100V 3.1A 25W 1.2ohm @ 10V | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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