| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFR220NTRLPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 12,760 | MOSFET MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRFR220NTRPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 32,295 | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFR220NTRRPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFR220PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 2,826 | MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR220T_R4941 | Fairchild Semiconductor | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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IRFR220TR | Vishay/Siliconix | DPAK | MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR220TRL | Vishay/Siliconix | DPAK | MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR220TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 8,396 | MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR220TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 16,866 | MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR220TRR | Vishay/Siliconix | DPAK | MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR220TRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 129 | MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR224 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR224BTF_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-252 | MOSFET 250V N-Channel B-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸... | ||||||
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IRFR224BTM_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-252 | MOSFET 250V N-Channel B-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸... | ||||||
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IRFR224BTM_TC002 | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | MOSFET 250V 3.8A 1.1Ohm N-Channel | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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IRFR224PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 2,767 | MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR224TR | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR224TRL | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR224TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR224TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 1,230 | MOSFET N-Chan 250V 3.8 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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