| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFR210TR | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR210TRL | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR210TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 6,000 | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR210TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 10,990 | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR210TRR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR210TRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR214 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR214BTF_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-252 | MOSFET 250V N-Channel B-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸... | ||||||
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IRFR214BTM_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-252 | MOSFET 250V N-Channel B-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸... | ||||||
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IRFR214PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR214TR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR214TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR214TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 3,821 | MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR214TRR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR214TRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 250V 2.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR220 | Vishay/Siliconix | DPAK | MOSFET N-Chan 200V 4.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR220_R4941 | Fairchild Semiconductor | MOSFET TO-252AA | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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IRFR220BTF_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-252 | MOSFET 200V 4.6A N-CH | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸... | ||||||
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IRFR220BTM_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | MOSFET 200V N-Ch B-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸... | ||||||
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IRFR220NPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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