| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFR13N20DPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRFR13N20DTRLP | International Rectifier | D-Pak | MOSFET MOSFT 200V 14A 235mOhm 25nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRFR13N20DTRPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRFR13N20DTRRP | International Rectifier | D-Pak | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 235mOhms 25nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRFR15N20DPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRFR15N20DTRLP | International Rectifier | D-Pak | MOSFET MOSFT 200V 17A 165mOhm 27nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 3... | ||||||
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IRFR15N20DTRPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 24 | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 3... | ||||||
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IRFR18N15DPBF | International Rectifier | D-Pak | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 125mOhms 28nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRFR18N15DTRPBF | International Rectifier | D-Pak | MOSFET MOSFT 150V 18A 125mOhm 28nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRFR18N15DTRRP | International Rectifier | D-Pak | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 125mOhms 28nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRFR1N60A | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFR1N60APBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 3,000 | MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFR1N60ATR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFR1N60ATRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 99 | MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFR1N60ATRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 3,011 | MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFR1N60ATRRPBF | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 600V 1.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFR210 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR210BTF_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-252 | MOSFET 200V N-Ch B-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸... | ||||||
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IRFR210BTM_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-252AA | MOSFET 200V N-Ch B-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸... | ||||||
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IRFR210PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 14,780 | MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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