| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFR1010ZTRPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 4,810 | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFR1018EPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFR1018ETRPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 1,018 | MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFR1018ETRRPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，漏极连续电流：79 A，电阻... | ||||||
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IRFR110 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR110_R4941 | Fairchild Semiconductor | MOSFET TO-252AA | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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IRFR110ATF | Fairchild Semiconductor | DPAK | MOSFET 100V N-Channel A-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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IRFR110ATM | Fairchild Semiconductor | DPAK | MOSFET 100V N-Channel A-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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IRFR110PBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 1,410 | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR110T_R4941 | Fairchild Semiconductor | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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IRFR110TR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR110TRL | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR110TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR110TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 12,483 | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR110TRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR120 | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFR120_R4941 | Fairchild Semiconductor | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET TO-252AA | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRFR1205PBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFR1205TRLPBF | International Rectifier | D-Pak | MOSFET MOSFT 55V 37A 27mOhm 43.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFR1205TRPBF | International Rectifier | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 12,321 | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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