| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFP9240_R4941 | Fairchild Semiconductor | MOSFET TO-247 | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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IRFP9240PBF | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 2,098 | MOSFET P-Chan 200V 12 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFPC40 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Chan 600V 6.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFPC40PBF | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 496 | MOSFET N-Chan 600V 6.8 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFPC50 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET N-Chan 600V 11 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFPC50A | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Chan 600V 11 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFPC50APBF | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 5,610 | MOSFET N-Chan 600V 11 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFPC50LC | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Chan 600V 11 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFPC50LCPBF | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Chan 600V 11 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFPC50PBF | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Chan 600V 11 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFPC60 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Chan 600V 16 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFPC60LC | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Chan 600V 16 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFPC60LCPBF | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 417 | MOSFET N-Chan 600V 16 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFPC60PBF | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 474 | MOSFET N-Chan 600V 16 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFPE30 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFPE30PBF | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFPE40 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET N-Chan 800V 5.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFPE40PBF | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 1,335 | MOSFET N-Chan 800V 5.4 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFPE50 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET N-Chan 800V 7.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFPE50PBF | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | 933 | MOSFET N-Chan 800V 7.8 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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