| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFL4105PBF | International Rectifier | SOT-223 | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 23nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFL4105TRPBF | International Rectifier | TO-261-4，TO-261AA | 8,393 | MOSFET MOSFT 55V 3.7A 45mOhm 23nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFL4310PBF | International Rectifier | - | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET200mOhms | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFL4310TRPBF | International Rectifier | TO-261-4，TO-261AA | 78,420 | MOSFET MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFL4315PBF | International Rectifier | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 12nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRFL9014 | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET P-Chan 60V 1.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFL9014PBF | Vishay/Siliconix | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-Chan 60V 1.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFL9014TR | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFL9014TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-261-4，TO-261AA | 2 | MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRFL9110 | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET P-Chan 100V 1.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFL9110PBF | Vishay/Siliconix | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-Chan 100V 1.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFL9110TR | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET P-Chan 100V 1.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFL9110TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-Chan 100V 1.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFM110ATF | Fairchild Semiconductor | SOT-223 | MOSFET 100V Single | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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IRFM120ATF | Fairchild Semiconductor | TO-261-4，TO-261AA | 8 | MOSFET 100V Single | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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IRFM210BTF_FP001 | Fairchild Semiconductor | SOT-223-4 | MOSFET 200V Single | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸... | ||||||
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IRFM214BTF_FP001 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 200V Single | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸... | ||||||
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IRFM220BTF_FP001 | Fairchild Semiconductor | SOT-223-4 | MOSFET 200V Single | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸... | ||||||
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IRFM224BTF_FP001 | Fairchild Semiconductor | MOSFET 250V Single | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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IRFML8244TRPBF | International Rectifier | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 46,487 | MOSFET MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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