| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFL014PBF | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFL014TR | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFL014TRPBF | Vishay/Siliconix | SOT-223 | 4,978 | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFL024NPBF | International Rectifier | SOT-223 | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFL024NTRPBF | International Rectifier | SOT-223 | 5,000 | MOSFET MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFL024ZPBF | International Rectifier | SOT-223 | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.1mOhms 9.1nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFL024ZTRPBF | International Rectifier | TO-261-4，TO-261AA | 91,294 | MOSFET MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极连续电流：5.1 A，电... | ||||||
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IRFL1006PBF | International Rectifier | SOT-223 | MOSFET MOSFT 60V 2.3A 220mOhm 5.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFL110 | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFL110PBF | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFL110TR | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFL110TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-261-4，TO-261AA | 13,596 | MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFL210 | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFL210PBF | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFL210TR | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFL210TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-261-4，TO-261AA | 9,363 | MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFL214 | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFL214PBF | Vishay/Siliconix | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFL214TR | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFL214TRPBF | Vishay/Siliconix | TO-261-4，TO-261AA | 5,522 | MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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