| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFIZ14GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 4,000 | MOSFET N-Chan 60V 8.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFIZ24EPBF | International Rectifier | TO-220AB 整包 | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 71mOhms 13.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFIZ24G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFIZ24GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 1,000 | MOSFET N-Chan 60V 14 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFIZ24NPBF | International Rectifier | TO-220-3 整包 | 6,728 | MOSFET MOSFT 55V 13A 70mOhm 13.3nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFIZ34EPBF | International Rectifier | TO-220FP | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 42mOhms 2.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFIZ34G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 60V 20 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFIZ34GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 3,533 | MOSFET N-Chan 60V 20 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFIZ34NPBF | International Rectifier | TO-220-3 整包 | MOSFET MOSFT 55V 19A 40mOhm 22.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFIZ44G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 60V 30 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFIZ44GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 60V 30 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFIZ44NPBF | International Rectifier | TO-220-3 整包 | MOSFET MOSFT 55V 28A 24mOhm 43.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFIZ46NPBF | International Rectifier | TO-220-3 整包 | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 40.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFIZ48G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 60V 37 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFIZ48GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 3,260 | MOSFET N-Chan 60V 37 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFIZ48NPBF | International Rectifier | TO-220-3 整包 | MOSFET MOSFT 55V 36A 16mOhm 59.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFIZ48VPBF | International Rectifier | TO-220-3 整包 | MOSFET MOSFT 60V 39A 12mOhm 73.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFL014 | Vishay/Siliconix | SOT-223 | MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFL014NPBF | International Rectifier | SOT-223 | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 160mOhms 7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFL014NTRPBF | International Rectifier | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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