| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFIB7N50LPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 500V 6.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB8N50K | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIB8N50KPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFIBC20G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFIBC20GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 26 | MOSFET N-Chan 600V 1.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFIBC30G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFIBC30GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFIBC40G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFIBC40GLC | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFIBC40GLCPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFIBC40GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 1,381 | MOSFET N-Chan 600V 3.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFIBE20G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 800V 1.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFIBE20GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 38 | MOSFET N-Chan 800V 1.4 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFIBE30G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFIBE30GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 1,900 | MOSFET N-Chan 800V 2.1 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFIBF20G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 900V 1.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFIBF20GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 900V 1.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFIBF30G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 900V 1.9 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFIBF30GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 900V 1.9 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFIZ14G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 60V 8.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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