| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFI820G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 2.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI820GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 500V 2.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI830BTU | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET 500V N-Channel B-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸... | ||||||
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IRFI830G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 500V 3.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI830GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 980 | MOSFET N-Chan 500V 3.1 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI840BTU | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET 500V N-Channel B-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸... | ||||||
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IRFI840G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 500V 4.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI840GLC | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFI840GLCPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 730 | MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFI840GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 917 | MOSFET N-Chan 500V 4.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI9520G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 100V 5.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9520GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 364 | MOSFET P-Chan 100V 5.2 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9530G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 100V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9530GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 4,277 | MOSFET P-Chan 100V 7.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9540G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 100V 11 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9540GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 552 | MOSFET P-Chan 100V 11 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9610G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 200V 2.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9610GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 200V 2.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9620G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 200V 3.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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IRFI9620GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 5,139 | MOSFET P-Chan 200V 3.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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