| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFI640BTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 3... | ||||||
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IRFI640G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 9.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI640GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 1,915 | MOSFET N-Chan 200V 9.8 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI644BTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 3... | ||||||
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IRFI644G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 7.9 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI644GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 4,909 | MOSFET N-Chan 250V 7.9 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI650BTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | MOSFET | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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IRFI654BTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 3... | ||||||
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IRFI720G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 400V 2.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI720GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 400V 2.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI730G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 400V 3.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI730GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 1,275 | MOSFET N-Chan 400V 3.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI734GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 450V 3.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：450 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI740BTU | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸... | ||||||
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IRFI740G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 400V 5.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI740GLC | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 400V 5.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFI740GLCPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 678 | MOSFET N-Chan 400V 5.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFI740GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 5,483 | MOSFET N-Chan 400V 5.4 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI744G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 450V 4.9 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：450 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI744GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 450V 4.9 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：450 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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