| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFI540GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 8,815 | MOSFET N-Chan 100V 17 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI540NPBF | International Rectifier | TO-220-3 整包 | 1,507 | MOSFET MOSFT 100V 18A 52mOhm 62.7nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFI550ATU | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRFI610BTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸... | ||||||
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IRFI614BTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-262 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸... | ||||||
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IRFI614G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 2.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI614GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET N-Chan 250V 2.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI620BTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸... | ||||||
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IRFI620G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI620GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 896 | MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI624BTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | TO-262 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸... | ||||||
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IRFI624G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 3.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI624GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 3.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI630BTLTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 3... | ||||||
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IRFI630BTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET 200V N-Ch B-FET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸... | ||||||
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IRFI630G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 5.9 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI630GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 2,376 | MOSFET N-Chan 200V 5.9 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI634BTU_FP001 | Fairchild Semiconductor | I2PAK | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 3... | ||||||
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IRFI634G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 5.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI634GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封装，隔离接片 | 1,862 | MOSFET N-Chan 250V 5.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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