| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFH7110TRPBF | International Rectifier | 8-TQFN 裸露焊盘 | MOSFET MOSFET, 100V, 58A 13.5 mOhm, 58 nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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IRFH7440TRPbF | International Rectifier | 8-PQFN（5x6） | MOSFET 40V 85A 2.4mOhm 92nC STrongIRFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：159 A，电... | ||||||
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IRFH7446TRPbF | International Rectifier | 8-TQFN 裸露焊盘 | 27,286 | MOSFET 40V 85A 3.3mOhm 65nC StrongIRFET | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：117 A，电... | ||||||
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IRFH7911TR2PBF | International Rectifier | PQFN（5x6） | MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V POL | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFH7911TRPBF | International Rectifier | PQFN（5x6） | MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 8.6mOhms 8.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH7914TR2PBF | International Rectifier | 8-PQFN（5x6） | MOSFET MOSFT 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFH7914TRPBF | International Rectifier | 8-PQFN（5x6） | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH7921TR2PBF | International Rectifier | PQFN（5x6）单芯片焊盘 | MOSFET MOSFT 30V 15A 8.5mOhm 9.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFH7921TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 9.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH7932TR2PBF | International Rectifier | PQFN（5x6）单芯片焊盘 | MOSFET MOSFT 30V 24A 3.3mOhm 34nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFH7932TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | 43 | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH7934TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET MOSFT 30V 24A 3.5mOhm 20nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFH7934TRPBF | International Rectifier | 8-PQFN（5x6） | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 20nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH7936TR2PBF | International Rectifier | 8-PQFN（5x6） | MOSFET MOSFT 30V 20A 4.8mOhm 17nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFH7936TRPBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.8mOhms 17nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH8318TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET MOSFT 30V 50A 3.1mOhm 21nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFH8318TRPBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH8324TR2PBF | International Rectifier | PQFN（5x6） | 92 | MOSFET MOSFT 30V 50A 4.1mOhm 15nC Qg | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFH8324TRPBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | 6,217 | MOSFET 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH8325TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET 30V 999A SO-8 | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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