| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFH5300TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5301TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 30V 100A 1.85mOhm mx 37nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFH5301TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 1.85mOhms 37nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5302DTR2PBF | International Rectifier | PQFN（5x6）单芯片焊盘 | MOSFET MOSFT 30V FETky 100A 2.5mOhm 26nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFH5302DTRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET 20V DUAL N / P CH 2.5mOhms 26nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5302TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 30V 100A 2.1mOhm mx 29nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFH5302TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5303TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 30V 82A 4.2mOhm 15nC Low Rg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFH5303TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 15nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5304TR2PBF | International Rectifier | 8-PQFN（5x6） | MOSFET MOSFT 30V 79A 4.5mOhm 16nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFH5304TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | 3,973 | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 16nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5306TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 30V 44A 8.1mOhm mx 7.8nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFH5306TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 7.8nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5406TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 60V 40A 14.4mOhm 23nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5406TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | 6 | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 14.4mOhms 23nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH6200TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 20V 100A 1.2mOhm 2.5V cpbl | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRFH6200TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | 302 | MOSFET 20V SINGLE N-CH 1.2mOhms 155nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRFH7004TRPBF | International Rectifier | 8-PQFN（5x6） | MOSFET 40V 100A 1.4mOhm HEXFET 156W 134nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，包装形式：Reel，商标名：StrongIRFET，... | ||||||
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IRFH7107TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET 75V 75A 8.5mOhm 48nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH7110TR2PBF | International Rectifier | 8-PQFN（5x6） | MOSFET MOSFET, 100V, 58A 13.5 mOhm, 58 nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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