| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFH5004TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | 15,950 | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms 73nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5006TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET MOSFT 60V 100A 4.1mOhm 67nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5006TRPBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | 17,321 | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4.1mOhms 67nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5007TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET MOSFT 70V 100A 5.9mOhm 65nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5007TRPBF | International Rectifier | 8-PQFN（5x6） | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.9mOhms 65nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5010TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 100V 100A 9.0mOhm 65nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5010TRPBF | International Rectifier | 8-PQFN（5x6） | 1 | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 65nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRFH5015TR2PBF | International Rectifier | 8-PQFN（5x6） | MOSFET MOSFT 150V 56A 31mOhm 33nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5015TRPBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | 90 | MOSFET 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5020TR2PBF | International Rectifier | 8-PQFN（5x6） | MOSFET MOSFT 200V 41A 59mOhm 36nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5020TRPBF | International Rectifier | 8-PowerTDFN | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 55mOhms 11nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5025TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 250V 31A 104mOhm 36nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5025TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | 2,807 | MOSFET 250V 1 N-CH HEXFET 5MM X 6MM PQFN | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5053TR2PBF | International Rectifier | PQFN（5x6）单芯片焊盘 | MOSFET MOSFT 100V 46A 18mOhm 24nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5053TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | 4,000 | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFH5104TR2PBF | International Rectifier | 8-VQFN 裸露焊盘 | 349 | MOSFET MOSFT 40V 100A 3.5mOhm 53nC Qg | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRFH5104TRPBF | International Rectifier | 8-VQFN 裸露焊盘 | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 53nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5106TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 60V Gen 10.7 4.98mOhm 56.2nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5106TRPBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 5.6mOhms 50nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFH5110TR2PBF | International Rectifier | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFT 100V Gen 10.7 11.68mOhm 56.2nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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