| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFD320PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 484 | MOSFET N-Chan 400V 0.49 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD420 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 400V 0.37 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD420PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-Chan 400V 0.37 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD9010 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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IRFD9010PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 2,169 | MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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IRFD9014 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFD9014PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 1 | MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFD9020 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFD9020PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 7,877 | MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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IRFD9024 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFD9024PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 2,364 | MOSFET P-Chan 60V 1.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFD9110 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD9110PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 4,311 | MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD9113 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 100V 0.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，漏极连续电流：- 0.6 A，电阻... | ||||||
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IRFD9120 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD9120PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 54,764 | MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD9123 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，包装形式：Tube，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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IRFD9123PBF | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET 60 Volt 1.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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IRFD9210 | Vishay/Siliconix | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET P-Chan 200V 0.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD9210PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 6,646 | MOSFET P-Chan 200V 0.4 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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