| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFD024 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFD024PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFD110 | Vishay Semiconductors | 4-HVMDIP | MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD110PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 30,752 | MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD113 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，包装形式：Tube，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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IRFD120 | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD120PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 12,281 | MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD123 | Vishay/Siliconix | HexDIP-4 | MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD123PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 7,400 | MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD210 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD210PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 14,208 | MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD213 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，包装形式：Tube，工厂包装数量：2500，... | ||||||
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IRFD214 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD214PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD220 | Vishay/Siliconix | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD220PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 5,125 | MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD224PBF | Vishay Semiconductors | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 250V 0.63 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD310 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 400V 0.35 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD310PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | MOSFET N-Chan 400V 0.35 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFD320 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 400V 0.49 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：400 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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