| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFBF20STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
IRFBF20STRR | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFBF20STRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
IRFBF30 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
IRFBF30PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 980 | MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
IRFBF30S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
IRFBF30SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
IRFBF30STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,026 | MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
IRFBG20 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 1000V 1.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IRFBG20PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 1000V 1.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IRFBG30 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
IRFBG30PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 13,237 | MOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1000 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
IRFC120B | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Ch 100volts | |||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，包装形式：Bulk，... | ||||||
|
|
IRFC9120B | Vishay Semiconductors | MOSFET P-Ch 100volts | |||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，包装形式：Bulk，... | ||||||
|
IRFD010 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 50V 1.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，漏极连续电流：1.7 A，配置：Sin... | ||||||
|
|
IRFD010PBF | Vishay Semiconductors | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 50V 1.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，漏极连续电流：1.7 A，电阻汲极/源... | ||||||
|
IRFD014 | Vishay/Siliconix | 4-HVMDIP | MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
IRFD014PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 819 | MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
IRFD020 | Vishay/Siliconix | HVMDIP | MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
|
|
IRFD020PBF | Vishay Semiconductors | 4-DIP（0.300"，7.62mm） | 6,933 | MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
1032/1326 首页 上页 [1027] [1028] [1029] [1030] [1031] [1032] [1033] [1034] [1035] [1036] [1037] 下页 尾页
