| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFB4710PBF | International Rectifier | TO-220AB | MOSFET MOSFT 100V 75A 14mOhm 110nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFB52N15DPBF | International Rectifier | TO-220-3 | 12,525 | MOSFET MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRFB5615PBF | International Rectifier | TO-220AB | MOSFET Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFB5620PBF | International Rectifier | TO-220-3 | 2,354 | MOSFET Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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IRFB59N10DPBF | International Rectifier | TO-220-3 | MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRFB61N15DPBF | International Rectifier | TO-220-3 | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 95nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRFB7430PBF | International Rectifier | TO-220-3 | 628 | MOSFET 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFB7434PBF | International Rectifier | TO-220-3 | 812 | MOSFET 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFB7437PBF | International Rectifier | TO-220-3 | 2,990 | MOSFET 40V 2.0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFB7440PBF | International Rectifier | TO-220-3 | 1,550 | MOSFET 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 208W | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFB7446PBF | International Rectifier | TO-220-3 | 4,645 | MOSFET 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFB812PBF | International Rectifier | TO-220AB | MOSFET Gen 10.7 FredFet 500V 1.5Ohm | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRFB9N30APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 300V 30 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB9N60A | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB9N60APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 2,449 | MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB9N65A | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 650V 8.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFB9N65APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 958 | MOSFET N-Chan 650V 8.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBA1404PPBF | International Rectifier | TO-273AA | MOSFET MOSFT 40V 206A 3.7mOhm 160nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFBA1405PPBF | International Rectifier | TO-273AA | MOSFET MOSFT 55V 174A 5mOhm 170nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRFBA22N50A | Vishay/Siliconix | TO-273AA | MOSFET N-Chan 500V 24 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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