| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF9Z20PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 939 | MOSFET P-Chan 50V 9.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z24 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 60V 11 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z24NPBF | International Rectifier | TO-220-3 | 11,947 | MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF9Z24NSPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF9Z24NSTRLPBF | International Rectifier | D2PAK | 30 | MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF9Z24PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 8,200 | MOSFET P-Chan 60V 11 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z24S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET P-Chan 60V 11 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z24SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 3,078 | MOSFET P-Chan 60V 11 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z24STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET P-Chan 60V 11 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z24STRR | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET P-Chan 60V 11 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z24STRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET P-Chan 60V 11 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z30 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 50V 18 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z30PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 136 | MOSFET P-Chan 50V 18 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 50 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z34 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 60V 18 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z34NLPBF | International Rectifier | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET MOSFT PCh -55V -19A 100mOhm 23.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF9Z34NPBF | International Rectifier | TO-220-3 | 85,410 | MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF9Z34NSPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF9Z34NSTRLPBF | International Rectifier | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 14,134 | MOSFET MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF9Z34NSTRRPBF | International Rectifier | D2PAK | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 55 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF9Z34PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 1,832 | MOSFET P-Chan 60V 18 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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