| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF9910PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 13.4mOhms | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF9910TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF9952PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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IRF9952QPBF | International Rectifier | SOIC-8 | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极... | ||||||
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IRF9952QTRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极... | ||||||
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IRF9952TRPBF | International Rectifier | 8-SO | 4,129 | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：... | ||||||
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IRF9953PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF9953TRPBF | International Rectifier | 8-SO | 10,162 | MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 2.3A | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：20 V... | ||||||
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IRF9956PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF9956TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 3.5A | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF9Z10 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z10PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 988 | MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z14 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z14LPBF | Vishay/Siliconix | I2PAK | MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z14PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 6,875 | MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z14S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z14SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 245 | MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z14STRL | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z14STRLPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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IRF9Z14STRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK | MOSFET P-Chan 60V 6.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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