| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF830AS | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF830ASPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 776 | MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF830ASTRL | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF830ASTRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 2,975 | MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF830B | Fairchild Semiconductor | TO-220AB | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸... | ||||||
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IRF830BPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 3,008 | MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.... | ||||||
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IRF830L | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，包装形式：Tube，工厂包装数量：1000，... | ||||||
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IRF830LPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3 | MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF830PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 10,424 | MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF830S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF830SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 165 | MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF830STRL | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF830STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,600 | MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF830STRRPBF | Vishay/Siliconix | SMD-220 | MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF8313PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 15.5mOhms 6nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF8313TRPBF | International Rectifier | 8-SO | 538 | MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 9.7A | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF8327STR1PBF | International Rectifier | DIRECTFET? SQ | MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF8327STRPBF | International Rectifier | DIRECTFET? SQ | MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF840 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF840_R4943 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH POWER | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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