| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF7811WTRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT 30V 14A 12mOhm 15.6nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF7815PBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 43mOhms 25nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF7815TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 15,920 | MOSFET MOSFT 150V 5A 44mOhm 25nC Qg | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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IRF7820PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8 | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：200 V，漏极连续电流：3.7 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：... | ||||||
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IRF7820TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 200V, 3.7A, 78 mOhm 29 nC Qg, SO-8 | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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IRF7821GTRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT 30V 13.6A 9.1mOhm 9.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：13.6 A，... | ||||||
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IRF7821PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V N-CH HEXFET 9.1mOhms 9.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7821TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT 30V 13.6A 9.1mOhm 9.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7822PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 44nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF7822TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT 30V 18A 6.5mOhm 44nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF7828PBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 9.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7828TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT 30V 13.6A 12.5mOhm 9.3nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7831PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.6mOhms 40nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF7831TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 6,927 | MOSFET MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF7832PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7832TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT 30V 20A 4mOhm 34nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7834PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 29nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7834TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT 30V 19A 4.5mOhm 29nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7842PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 33nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7842TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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