| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF7807APBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 12nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF7807ATRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT 30V 6.6A 25mOhm 12nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：8.3 A，电... | ||||||
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IRF7807D1PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V FETKY 30 VBRD 25mOhms 2.9nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF7807D1TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 14nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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IRF7807D2PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V FETKY 30 VBRD 25mOhms 2.9nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF7807D2TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 14nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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IRF7807TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT 30V 8.3A 25mOhm 12nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF7807VD1PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET FETKY 30V VBRDSS 25mOhms 9.5nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7807VD1TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7807VD2PBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V FETKY 30 VBRD 25mOhms 9.5nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7807VD2TRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7807VPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 9.5nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7807VTRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7807ZPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7.2nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7807ZTRPBF | International Rectifier | 8-SO | 13,983 | MOSFET MOSFT 30V 11A 13.8mOhm 7.2nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7809AVPBF | International Rectifier | SOIC-8 | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 41nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF7809AVTRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 16,000 | MOSFET MOSFT 30V 13.3A 9mOhm 41nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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IRF7811AVPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 17nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7811AVTRPBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET MOSFT 30V 14A 14mOhm 17nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF7811WPBF | International Rectifier | SOIC-8 | 10 | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 15.6nC | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏... | ||||||
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